International Rectifier (Infineon Technologies)

SPD15P10PGBTMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SPD15P10PGBTMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

SPD15P10PGBTMA1.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.1V @ 1.54mA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO252-3

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

240 mOhm @ 10.6A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

128W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

SP000212233
SPD15P10P G
SPD15P10P G-ND
SPD15P10PGBTMA1TR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1280pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

48nC @ 10V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V

विस्तृत विवरण

P-Channel 100V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

15A (Tc)