International Rectifier (Infineon Technologies)

SPI07N60C3HKSA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SPI07N60C3HKSA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

SPI07N60C3HKSA1.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.9V @ 350µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO262-3-1
शृंखला

CoolMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

600 mOhm @ 4.6A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

83W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
दुसरे नाम

SP000013521
SPI07N60C3
SPI07N60C3IN
SPI07N60C3IN-ND
SPI07N60C3X
SPI07N60C3X-ND
SPI07N60C3XK
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

790pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

27nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

650V
विस्तृत विवरण

N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7.3A (Tc)

निम्नलिखित "SPI07N60C3HKSA1" संबंधित उत्पाद हैं।

SPI07N65C3HKSA1

विवरण: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262

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