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International Rectifier (Infineon Technologies)

SPI35N10

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SPI35N10
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

SPI35N10.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 83µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO262-3-1
शृंखला

SIPMOS®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

44 mOhm @ 26.4A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

150W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
दुसरे नाम

SP000013852
SPI35N10X
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1570pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

65nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 35A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

35A (Tc)

निम्नलिखित "SPI35N10" संबंधित उत्पाद हैं।

SPI20N60C3HKSA1

विवरण: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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