International Rectifier (Infineon Technologies)

SPI80N06S2-07

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SPI80N06S2-07
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

SPI80N06S2-07.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 180µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO262-3-1
शृंखला

OptiMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

6.6 mOhm @ 68A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

250W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
दुसरे नाम

SP000013784
SPI80N06S207
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4540pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

110nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

55V
विस्तृत विवरण

N-Channel 55V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

80A (Tc)

निम्नलिखित "SPI80N06S2-07" संबंधित उत्पाद हैं।

SPIDER GIGA 2TX POE EEC

विवरण: NETWORK SWITCH-UNMANAGED 2 PORT

निर्माता: Belden's Hirschmann

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