International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP15N60CFDHKSA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SPP15N60CFDHKSA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

SPP15N60CFDHKSA1.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 750µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO220-3-1
शृंखला

CoolMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

330 mOhm @ 9.4A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

156W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3
दुसरे नाम

SP000264425
SPP15N60CFD
SPP15N60CFD-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1820pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

84nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

650V
विस्तृत विवरण

N-Channel 650V 13.4A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

13.4A (Tc)

निम्नलिखित "SPP15N60CFDHKSA1" संबंधित उत्पाद हैं।

SPP14X32

विवरण: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION

निर्माता: 3M

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अग्रिम पंजीकरण

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