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ISL6613AEIBZ-T

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    ISL6613AEIBZ-T
  • निर्माता / ब्रांड
    Intersil (Renesas Electronics Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC MOSFET DVR SYNC BUCK 8EPSOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    ISL6613AEIBZ-T.pdf
  • वोल्टेज आपूर्ति
    10.8 V ~ 13.2 V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SOIC-EP
  • शृंखला
    -
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    26ns, 18ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • दुसरे नाम
    ISL6613AEIBZ-T-ND
    ISL6613AEIBZ-TTR
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • इनपुट आवृत्ति
    2
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    15 Weeks
  • तर्क वोल्ट - वीआईएल, VIH
    -
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Non-Inverting
  • उच्च पक्ष वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप)
    36V
  • गेट प्रकार
    N-Channel MOSFET
  • प्रेरित कॉन्फ़िगरेशन
    Half-Bridge
  • विस्तृत विवरण
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)
    1.25A, 2A
  • आधार emitter संतृप्ति वोल्टेज (मैक्स)
    Synchronous
  • आधार भाग संख्या
    ISL6613AE
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ISL6613BCB

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ISL6613AEIB

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ISL6613AIBZ

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ISL6613AIR

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ISL6613AEIBZ

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ISL6613AECB-T

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ISL6613AIRZ

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ISL6613ACRZ-T

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ISL6613BCB-T

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ISL6613BCBZ-T

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ISL6613AECB

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ISL6613AECBZ-T

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ISL6613ACRZ

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ISL6613BCBZ

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