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BR25H080FVT-WCE2

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BR25H080FVT-WCE2
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8TSSOPB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    5ms
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.5 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    EEPROM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-TSSOP-B
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q100
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • दुसरे नाम
    BR25H080FVTWCE2
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    8Kb (1K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    SPI
  • मेमोरी प्रारूप
    EEPROM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    EEPROM Memory IC 8Kb (1K x 8) SPI 5MHz 8-TSSOP-B
  • घड़ी आवृत्ति
    5MHz
  • आधार भाग संख्या
    BR25H080
BR25H128FVT-2ACE2

BR25H128FVT-2ACE2

विवरण: IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8TSSOPB

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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BR25H040FVM-2CTR

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BR25H160F-2LBH2

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BR25H160F-2CE2

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