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5908046R6024ENZC8 छविLAPIS Semiconductor

R6024ENZC8

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    R6024ENZC8
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-3PF
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    120W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-3P-3 Full Pack
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    17 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1650pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    70nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 24A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    24A (Tc)
R6030225HSYA

R6030225HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6021025HSYA

R6021025HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6021222PSYA

R6021222PSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6024KNJTL

R6024KNJTL

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6021425HSYA

R6021425HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6024KNZC8

R6024KNZC8

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6021235ESYA

R6021235ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

विवरण: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6030235ESYA

R6030235ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

विवरण: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6024KNX

R6024KNX

विवरण: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6024ENX

R6024ENX

विवरण: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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R6021435ESYA

R6021435ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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R6021035ESYA

R6021035ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
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R6021225HSYA

R6021225HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

निर्माता: Powerex, Inc.
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R6025ANZC8

R6025ANZC8

विवरण: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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R6024ENJTL

R6024ENJTL

विवरण: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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R6025FNZC8

R6025FNZC8

विवरण: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
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