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1442865RND030N20TL छविLAPIS Semiconductor

RND030N20TL

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RND030N20TL
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    RND030N20TL.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5.2V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    CPT3
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    870 mOhm @ 1.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    850mW (Ta), 20W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    RND030N20TLTR
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    270pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    6.7nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    200V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 200V 3A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    3A (Tc)
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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शिपिंग
भुगतान
निम्नलिखित "RND030N20TL" संबंधित उत्पाद हैं।
BUK7E1R6-30E,127

BUK7E1R6-30E,127

विवरण: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale
स्टॉक में
RFQ
RND02ZGE-M6

RND02ZGE-M6

विवरण: DC DC CONVERTER 3.27V 5.2V 10W

निर्माता: Bel
स्टॉक में
RFQ
FDU8796

FDU8796

विवरण: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
BSP320SH6327XTSA1

BSP320SH6327XTSA1

विवरण: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPI120N04S402AKSA1

IPI120N04S402AKSA1

विवरण: MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
FQA13N50C-F109

FQA13N50C-F109

विवरण: MOSFET N-CH 500V 13.5A

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RND0.8ZHH-M6

RND0.8ZHH-M6

विवरण: DC DC CONVERTER +/-12V 10W

निर्माता: Bel
स्टॉक में
RFQ
RND0.8ZHH-M6G

RND0.8ZHH-M6G

विवरण: DC DC CONVERTER +/-12V 10W

निर्माता: Bel
स्टॉक में
RFQ
TPH1400ANH,L1Q

TPH1400ANH,L1Q

विवरण: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
IXKN45N80C

IXKN45N80C

विवरण: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
SUP53P06-20-E3

SUP53P06-20-E3

विवरण: MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RND02ZGG-M6

RND02ZGG-M6

विवरण: DC DC CONVERTER +/-5.1V 10W

निर्माता: Bel
स्टॉक में
RFQ
BSZ0502NSIATMA1

BSZ0502NSIATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IRF740LCSTRL

IRF740LCSTRL

विवरण: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
SIHP21N65EF-GE3

SIHP21N65EF-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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IRFR2905ZTR

IRFR2905ZTR

विवरण: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
PMN40ENEX

PMN40ENEX

विवरण: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
RFQ
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