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RQ3E150GNTB

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RQ3E150GNTB
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.RQ3E150GNTB.pdf
    2.RQ3E150GNTB.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.5V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-HSMT (3.2x3)
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    6.1 mOhm @ 15A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    2W (Ta), 17.2W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-PowerVDFN
  • दुसरे नाम
    RQ3E150GNTBCT
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    40 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    850pF @ 15V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    15.3nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 30V 15A (Ta) 2W (Ta), 17.2W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    15A (Ta)
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "RQ3E150GNTB" संबंधित उत्पाद हैं।
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RQ3E130BNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3E160ADTB

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3L050GNTB

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विवरण: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
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RQ3E075ATTB

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विवरण: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RQ3E100BNTB

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

विवरण: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
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RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3G150GNTB

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विवरण: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

विवरण: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RQ3E180BNTB

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विवरण: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RQ3E130MNTB1

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RQ3E150BNTB

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RQ3E180GNTB

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

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RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

विवरण: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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