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UMB6NTR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    UMB6NTR
  • निर्माता / ब्रांड
    LAPIS Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    UMB6NTR.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    UMT6
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    47 kOhms
  • पावर - मैक्स
    150mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    250MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    30mA
  • आधार भाग संख्या
    MB6
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