BQ4013YMA-85N

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जांच ऑनलाइन

विशेष विवरण

भाग संख्या

BQ4013YMA-85N
निर्माता / ब्रांड

Luminary Micro/Texas Instruments
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
ईसीएडी मॉडल
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

85ns
वोल्टेज आपूर्ति

4.5 V ~ 5.5 V
प्रौद्योगिकी

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

32-DIP Module (18.42x42.8)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
स्मृति के प्रकार

Non-Volatile
मेमोरी का आकार

1Mb (128K x 8)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

NVSRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 85ns 32-DIP Module (18.42x42.8)
आधार भाग संख्या

BQ4013
अभिगम समय

85ns

निम्नलिखित "BQ4013YMA-85N" संबंधित उत्पाद हैं।

BQ4011YMA-150N

विवरण: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

निर्माता: Luminary Micro / Texas Instruments

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अग्रिम पंजीकरण

BQ4013YMA-85N

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