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DS1250Y-100IND+

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DS1250Y-100IND+
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    100ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.5 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    32-EDIP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Mb (512K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    NVSRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP
  • आधार भाग संख्या
    DS1250Y
  • अभिगम समय
    100ns
DS1250W-150

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

निर्माता: Maxim Integrated
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DS1250WP-150

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

निर्माता: Maxim Integrated
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DS1250Y-70IND+

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

निर्माता: Maxim Integrated
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DS1250Y-100IND

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

निर्माता: Maxim Integrated
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DS1250W-100IND+

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

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DS1250W-150+

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

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DS1250Y-70IND

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

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DS1250Y-70+

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

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DS1250WP-100+

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

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DS1250YP-100

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

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DS1250YL-100

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

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DS1250WP-100IND+

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

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DS1250YL-70

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DS1250Y-70

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

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DS1250YP-100+

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DS1250W-100IND

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

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DS1250Y-100

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DS1250YL-70-IND

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DS1250YP-70

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