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EDBA232B2PD-1D-F-R TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    EDBA232B2PD-1D-F-R TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    EDBA232B2PD-1D-F-R TR-ND
    EDBA232B2PD-1D-F-RTR
  • परिचालन तापमान
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Gb (512M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 16Gb (512M x 32) Parallel 533MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    533MHz
EDB9301

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विवरण: KIT DEVELOPMENT EP9301 ARM9

निर्माता: Cirrus Logic
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EDB9315A-Z

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विवरण: KIT DEVELOPMENT EP9315 ARM9

निर्माता: Cirrus Logic
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EDBM432B3PF-1D-F-R TR

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विवरण: IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA

निर्माता: Micron Technology
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EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

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विवरण: KIT DEVELOPMENT EP9302 ARM9

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विवरण: KIT DEVELOPMENT EP9307 ARM9

निर्माता: Cirrus Logic
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विवरण: IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

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विवरण: IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ

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