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EDF8164A3PK-GD-F-R TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    EDF8164A3PK-GD-F-R TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
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  • विवरण
    IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    EDF8164A3PK-GD-F-R TR-ND
    EDF8164A3PK-GD-F-RTR
  • परिचालन तापमान
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    8Gb (128M x 64)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 800MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    800MHz
EDFA112A2PD-JD-F-D

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विवरण: IC DRAM 16G PARALLEL 933MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA

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EDF840AAABH-GD-F-D

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विवरण: LPDDR3 256MX32 PLASTIC GREEN LFB

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विवरण: IC DRAM 8G FBGA

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