JS28F512M29EBHB TR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

JS28F512M29EBHB TR
निर्माता / ब्रांड

Micron Technology
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC FLASH 512M PARALLEL
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

110ns
वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

FLASH - NOR
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
दुसरे नाम

JS28F512M29EBHB TR-ND
JS28F512M29EBHBTR
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
स्मृति के प्रकार

Non-Volatile
मेमोरी का आकार

512Mb (64M x 8, 32M x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

FLASH
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 110ns
अभिगम समय

110ns

निम्नलिखित "JS28F512M29EBHB TR" संबंधित उत्पाद हैं।

JS28F320J3F75A

विवरण: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

निर्माता: Micron Technology

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