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M29F800DB70M1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    M29F800DB70M1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 8M PARALLEL 44SO
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    70ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.5 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    44-SO
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    44-SOIC (0.525", 13.34mm Width)
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    8Mb (1M x 8, 512K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Parallel 70ns 44-SO
  • आधार भाग संख्या
    M29F800
  • अभिगम समय
    70ns
M29F800DB55N6E

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निर्माता: Micron Technology
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M29F800DT55N6

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M29F800DB70N6

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M29F800DB70N1

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M29F400FT55M3T2 TR

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M29F800DT55N6E

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M29F800DB70M6E

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M29F400FT5AM6T2 TR

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विवरण: IC FLASH 4M PARALLEL 44SO

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M29F800DT55N1

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M29F800DB70M6

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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 44SO

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M29F800DB55N1

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विवरण: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

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M29F800AB70M1

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M29F800DB70N6T TR

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M29F400FT55N3E2

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