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M58WR032KB7AZB6F TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    M58WR032KB7AZB6F TR
  • निर्माता / ब्रांड
    Micron Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    M58WR032KB7AZB6F TR.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    70ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 2 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    56-VFBGA (7.7x9)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    56-VFBGA
  • दुसरे नाम
    M58WR032KB7AZB6F TR-ND
    M58WR032KB7AZB6FTR
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    32Mb (2M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 32Mb (2M x 16) Parallel 66MHz 70ns 56-VFBGA (7.7x9)
  • घड़ी आवृत्ति
    66MHz
  • आधार भाग संख्या
    M58WR032
  • अभिगम समय
    70ns
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M58LW064D110ZA6

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निर्माता: STMicroelectronics
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M58WR032KB70ZB6Z

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M58WR032KB70ZB6E

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विवरण: IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

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M58WR032KL70ZA6E

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M58WR064EB70ZB6

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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA

निर्माता: STMicroelectronics
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M58WR032KB70ZB6F TR

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विवरण: IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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M58WR064KB70ZB6E

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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 56VFBGA

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M58WR064KB70ZB6F TR

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M58LW064D110N6

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M58WR064ET70ZB6T

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M58WR032KB7AZB6E

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विवरण: IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

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M58WR032KB70ZB6W TR

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विवरण: IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

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M58WR032KU70ZA6U TR

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M58LW032D90ZA6

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M58WR032KL70ZA6U TR

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