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MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR-ND
    MT29E512G08CMCBBH7-6:BTR
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Gb (64G x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 167MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    167MHz
MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

विवरण: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

निर्माता: Micron Technology
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MT29E64G08CBCDBJ4-6:D

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विवरण: IC FLASH 64GBIT 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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विवरण: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

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