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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E
  • निर्माता / ब्रांड
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  • विवरण
    IC FLASH 1G PARALLEL FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • शृंखला
    -
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (128M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel
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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: SLC 1G DIE 128MX8

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL WAFER

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