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MT29F1G08ABBFAM78A3WC1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29F1G08ABBFAM78A3WC1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 1G PARALLEL WAFER
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • शृंखला
    -
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (128M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel
MT29F1G08ABBEAM68M3WC1

MT29F1G08ABBEAM68M3WC1

विवरण: SLC 1G DIE 128MX8

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 130VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F1G08ABBEAH4:E

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F1G08ABCHC:C TR

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F1G08ABCHC-ET:C

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT29F1G16ABBDAH4:D

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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MT29F1G08ABCHC:C

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