MT29F4G08ABADAH4-E:D

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विशेष विवरण

भाग संख्या

MT29F4G08ABADAH4-E:D
निर्माता / ब्रांड

Micron Technology
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

FLASH - NAND
शृंखला

-
परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C (TA)
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Non-Volatile
मेमोरी का आकार

4Gb (512M x 8)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

FLASH
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel

निम्नलिखित "MT29F4G08ABADAH4-E:D" संबंधित उत्पाद हैं।

MT29F4G08ABADAH4:D

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology

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