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MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR-ND
    MT29F512G08AUEBBH8-12:BTR
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Gb (64G x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 83MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    83MHz
MT29F512G08AUEBBH8-12:B

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

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विवरण: IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

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विवरण: IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 200MHZ

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

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विवरण: IC FLASH

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

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विवरण: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

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विवरण: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

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विवरण: MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

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