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MT40A256M16GE-075E IT:B TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT40A256M16GE-075E IT:B TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.26 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR4
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    96-FBGA (14x9)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    96-TFBGA
  • दुसरे नाम
    MT40A256M16GE-075E IT:B TR-ND
    MT40A256M16GE-075EIT:BTR
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (256M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 1.33GHz 96-FBGA (14x9)
  • घड़ी आवृत्ति
    1.33GHz
MT40A256M16GE-075E IT:B

MT40A256M16GE-075E IT:B

विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A256M16Z90BWC1

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विवरण: DDR4 4G DIE 256MX16

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