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MT44K32M36RB-083F:A

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT44K32M36RB-083F:A
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.28 V ~ 1.42 V
  • प्रौद्योगिकी
    DRAM
  • शृंखला
    -
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 95°C (TC)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1.125Gb (32Mb x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    DRAM Memory IC 1.125Gb (32Mb x 36) Parallel 1200MHz 6.67ns
  • घड़ी आवृत्ति
    1200MHz
  • अभिगम समय
    6.67ns
MT44K32M18RB-125E:A TR

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

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