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MT46V64M8TG-75:D

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT46V64M8TG-75:D
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.3 V ~ 2.7 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    66-TSOP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    4 (72 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 133MHz 750ps 66-TSOP
  • घड़ी आवृत्ति
    133MHz
  • आधार भाग संख्या
    MT46V64M8
  • अभिगम समय
    750ps
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