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6699317MT47H64M8B6-25E L:D TR छविMicron Technology

MT47H64M8B6-25E L:D TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT47H64M8B6-25E L:D TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR2
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    60-FBGA
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Original-Reel®
  • पैकेज / प्रकरण
    60-FBGA
  • दुसरे नाम
    557-1427-6
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 85°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA
  • घड़ी आवृत्ति
    400MHz
  • आधार भाग संख्या
    MT47H64M8
  • अभिगम समय
    400ps
MT47H64M8CB-25:B

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT47H64M4BP-37E:B

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT47H64M8B6-37E:D TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M8B6-5E IT:D TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M4BP-37E:B TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M16NF-25E AUT:M

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

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MT47H64M16U88BWC1

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विवरण: DDR2 1G DIE 64MX16

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MT47H64M8CB-25:B TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M8B6-3 IT:D TR

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MT47H64M8B6-25E IT:D TR

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MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

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MT47H64M8B6-25:D TR

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MT47H64M16NF-25E:M

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MT47H64M16NF-25E XIT:M

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