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MT48V8M32LFF5-10 TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT48V8M32LFF5-10 TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.3 V ~ 2.7 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    90-VFBGA (8x13)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    90-VFBGA
  • दुसरे नाम
    MT48V8M32LFF5-10 TR-ND
    MT48V8M32LFF5-10TR
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    2 (1 Year)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Mb (8M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 100MHz 7ns 90-VFBGA (8x13)
  • घड़ी आवृत्ति
    100MHz
  • आधार भाग संख्या
    MT48V8M32
  • अभिगम समय
    7ns
MT48V8M32LFB5-10 TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT48V8M16LFF4-8:G TR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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MT48V8M32LFF5-10

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT48V8M32LFB5-8 TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT48V8M32LFF5-8 TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT48V8M32LFB5-10 IT

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT48V8M32LFF5-8 IT

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT49H16M18BM-18:B

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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

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MT49H16M16FM-5 TR

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MT48V8M32LFF5-10 IT TR

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MT48V8M32LFB5-8 IT TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT48V8M32LFB5-10

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MT49H16M18BM-33

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MT48V8M32LFF5-8

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