MT49H32M18CFM-18:B TR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

MT49H32M18CFM-18:B TR
निर्माता / ब्रांड

Micron Technology
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

MT49H32M18CFM-18:B TR.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.9 V
प्रौद्योगिकी

DRAM
प्रदायक डिवाइस पैकेज

144-µBGA (18.5x11)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

144-TFBGA
दुसरे नाम

MT49H32M18CFM-18:B TR-ND
MT49H32M18CFM-18:BTR
परिचालन तापमान

0°C ~ 95°C (TC)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

576Mb (32M x 18)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

DRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 533MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
घड़ी आवृत्ति

533MHz
अभिगम समय

15ns

निम्नलिखित "MT49H32M18CFM-18:B TR" संबंधित उत्पाद हैं।

MT49H32M18BM-25E:B TR

विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

निर्माता: Micron Technology

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