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MT49H64M9FM-25E:B TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT49H64M9FM-25E:B TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    DRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    144-µBGA (18.5x11)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    144-TFBGA
  • दुसरे नाम
    MT49H64M9FM-25E:B TR-ND
    MT49H64M9FM-25E:BTR
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    576Mb (64M x 9)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    DRAM Memory IC 576Mb (64M x 9) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
  • घड़ी आवृत्ति
    400MHz
  • अभिगम समय
    15ns
MT49H64M9FM-25:B TR

MT49H64M9FM-25:B TR

विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT49H64M9FM-25:B

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT49H8M36BM-25:B

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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT49H8M36BM-25 IT:B

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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT49H8M36BM-33 IT:B

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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT49H8M36BM-25:B TR

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MT49H32M9FM-33:B TR

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MT49H32M9FM-33:B

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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

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MT49H8M36BM-18:B

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विवरण: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT49H64M9CBM-25E:B

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विवरण: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

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MT49H64M9SJ-25E:B TR

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MT49H8M36BM-25 IT:B TR

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MT49H32M9SJ-25:B TR

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MT49H8M36BM-25E:B TR

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