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MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 16G 933MHZ FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.2V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR-ND
    MT52L256M64D2PD-107XTES:BTR
  • परिचालन तापमान
    -
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Gb (256M x 64)
  • मेमोरी इंटरफेस
    -
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 933MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    933MHz
MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B

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विवरण: IC DRAM 16G 800MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 16G 800MHZ FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA

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MT52L4DAGN-DC

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विवरण: SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

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