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MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 32G 1866MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.1V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR-ND
    MT53B512M64D8HR-053WT:BTR
  • परिचालन तापमान
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    32Gb (512M x 64)
  • मेमोरी इंटरफेस
    -
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    1866MHz
MT53B512M64D8HR-053 WT:B

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विवरण: IC DRAM 32G 1866MHZ

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MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR

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विवरण: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

निर्माता: Micron Technology
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MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C

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विवरण: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR

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