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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 64G 2133MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.1V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • दुसरे नाम
    MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR-ND
    MT53D1G64D8NZ-046WT:ETR
  • परिचालन तापमान
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    64Gb (1G x 64)
  • मेमोरी इंटरफेस
    -
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 64Gb (1G x 64) 2133MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    2133MHz
MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E TR

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विवरण: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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विवरण: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

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विवरण: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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विवरण: IC DRAM 64G 1866MHZ

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विवरण: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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विवरण: IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

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विवरण: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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विवरण: IC DRAM 64G 2133MHZ

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विवरण: IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 64G 1866MHZ

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विवरण: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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विवरण: IC DRAM 64G 1866MHZ

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