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MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B

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  • भाग संख्या
    MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.1V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • शृंखला
    -
  • दुसरे नाम
    MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B-ND
    MT53D256M64D4NY-046 XTES:B
    MT53D256M64D4NY-046 XTES:B-ND
    MT53D256M64D4NY-046XTES:B
  • परिचालन तापमान
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Gb (256M x 64)
  • मेमोरी इंटरफेस
    -
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस
    Lead free
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 2133MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    2133MHz
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

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विवरण: IC DRAM 16G 2133MHZ

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विवरण: IC DRAM 64G 1600MHZ

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

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विवरण: IC DRAM 64G 1600MHZ

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विवरण: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

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विवरण: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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विवरण: IC DRAM 64G 1600MHZ FBGA

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विवरण: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

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विवरण: IC DRAM 16G 2133MHZ

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विवरण: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

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विवरण: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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MT53D2DADS-DC TR

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विवरण: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

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MT53D2DADS-DC

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विवरण: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

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विवरण: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

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विवरण: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 16G 2133MHZ

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विवरण: IC DRAM 16G 2133MHZ

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विवरण: IC DRAM 64G 1600MHZ FBGA

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