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MT53D512M64D4NW-046 WT:D

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MT53D512M64D4NW-046 WT:D
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 32G 2133MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.1V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • शृंखला
    -
  • दुसरे नाम
    MT53D512M64D4NW-046 WT:D-ND
    MT53D512M64D4NW-046WT:D
  • परिचालन तापमान
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    32Gb (512M x 64)
  • मेमोरी इंटरफेस
    -
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
  • घड़ी आवृत्ति
    2133MHz
MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D

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विवरण: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 32G 2133MHZ

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विवरण: IC DRAM 32G 1866MHZ

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विवरण: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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निर्माता: Micron Technology
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विवरण: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

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विवरण: IC DRAM 32G 1866MHZ

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विवरण: IC DRAM 32G 1600MHZ

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