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NAND04GW3C2BN6E

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NAND04GW3C2BN6E
  • निर्माता / ब्रांड
    Micron Technology
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    25ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TSOP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (512M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP
  • आधार भाग संख्या
    NAND04G
  • अभिगम समय
    25ns
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NAND128W3A0AN6F

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NAND08GAH0FZC5E

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NAND08GW3C2BN6E

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NAND08GW3D2AN6E

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NAND04GW3B2DN6E

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NAND02GW3B2DN6E

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