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NAND256W3A2BE06

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NAND256W3A2BE06
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 256M PARALLEL WAFER
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    50ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    -
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    -
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Mb (32M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 50ns
  • अभिगम समय
    50ns
NAND256W3A0BE06

NAND256W3A0BE06

विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
स्टॉक में
NAND16GW3D2BN6E

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विवरण: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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NAND256W3A0BN6E

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
स्टॉक में
NAND32GW3F2DDI6P TR

NAND32GW3F2DDI6P TR

विवरण: SLC NAND

निर्माता: Micron Technology
स्टॉक में
NAND256W3A0AN6

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: STMicroelectronics
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NAND256W3A0BZA6E

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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NAND256W3A2BNXE

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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NAND32GW3F2DDI6P

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विवरण: SLC NAND

निर्माता: Micron Technology
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NAND256W4A0AN6E

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: STMicroelectronics
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NAND256W3A2BZA6F TR

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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NAND256W3A2BZAXE

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NAND256W3A0AN6F

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NAND256W3A0AN6E

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NAND256W3A2BZA6E

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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NAND256W3A2BN6E

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

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NAND256R3A2BZA6E

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

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NAND256W3A0BN6F TR

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