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1N5418

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    1N5418
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.5V @ 9A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    400V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    B, SQ-MELF
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    150ns
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    SQ-MELF, B
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    7 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1µA @ 400V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    3A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
1N5415

1N5415

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
1N5419E3

1N5419E3

विवरण: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
1N5420

1N5420

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
1N5420

1N5420

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL

निर्माता: Semtech
स्टॉक में
1N5419US

1N5419US

विवरण: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
1N5417US

1N5417US

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
1N5415US

1N5415US

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
1N5416

1N5416

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
1N5418TR

1N5418TR

विवरण: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
1N5417

1N5417

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
1N5417TR

1N5417TR

विवरण: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
1N5418C.TR

1N5418C.TR

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

निर्माता: Semtech
स्टॉक में
1N5418US

1N5418US

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
1N5418-TAP

1N5418-TAP

विवरण: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
1N5417C.TR

1N5417C.TR

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

निर्माता: Semtech
स्टॉक में
1N5419

1N5419

विवरण: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
1N5416US

1N5416US

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
1N5419

1N5419

विवरण: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

निर्माता: Semtech
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1N5408TA

1N5408TA

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

निर्माता: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
स्टॉक में
1N5417-TAP

1N5417-TAP

विवरण: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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