APT30M85BVFRG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

APT30M85BVFRG
निर्माता / ब्रांड

Microsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

APT30M85BVFRG.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-247 [B]
शृंखला

POWER MOS V®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

85 mOhm @ 500mA, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

300W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-247-3
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4950pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

195nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

300V
विस्तृत विवरण

N-Channel 300V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

40A (Tc)

निम्नलिखित "APT30M85BVFRG" संबंधित उत्पाद हैं।

APT30M60J

विवरण: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

निर्माता: Microsemi

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