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6244284APT47GA60JD40 छविMicrosemi Corporation

APT47GA60JD40

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    APT47GA60JD40
  • निर्माता / ब्रांड
    Microsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    APT47GA60JD40.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    87A
  • वोल्टेज - टूटने
    ISOTOP®
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    PT
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    600V
  • शृंखला
    POWER MOS 8™
  • पावर - मैक्स
    283W
  • ध्रुवीकरण
    SOT-227-4, miniBLOC
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • एनटीसी Thermistor
    Standard
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    APT47GA60JD40
  • इनपुट समाई (CIES) @ Vce
    2.5V @ 15V, 47A
  • इनपुट
    6.32nF @ 25V
  • विस्तारित विवरण
    IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
  • विवरण
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    275µA
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    No
  • संपर्क समाप्त
    Single
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "APT47GA60JD40" संबंधित उत्पाद हैं।
APT45GR65B

APT45GR65B

विवरण: IGBT 650V 92A 357W TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

विवरण: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT4F120K

APT4F120K

विवरण: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

विवरण: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

विवरण: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

विवरण: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

विवरण: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

विवरण: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

विवरण: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

विवरण: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

विवरण: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

विवरण: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

विवरण: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

विवरण: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

विवरण: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

विवरण: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT4M120K

APT4M120K

विवरण: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

विवरण: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

निर्माता: Microsemi
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RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

विवरण: IGBT 1200V 100A 625W TO247

निर्माता: Microsemi
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RFQ
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