APTGT75DA120T1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

APTGT75DA120T1G
निर्माता / ब्रांड

Microsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IGBT 1200V 110A 357W SP1
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

1.APTGT75DA120T1G.pdf
2.APTGT75DA120T1G.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

1200V
Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी

2.1V @ 15V, 75A
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SP1
शृंखला

-
पावर - मैक्स

357W
पैकेज / प्रकरण

SP1
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
एनटीसी Thermistor

Yes
माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट समाई (CIES) @ Vce

5.34nF @ 25V
इनपुट

Standard
आईजीबीटी प्रकार

Trench Field Stop
विस्तृत विवरण

IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

250µA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

110A
विन्यास

Single

निम्नलिखित "APTGT75DA120T1G" संबंधित उत्पाद हैं।

APTGT75DH60TG

विवरण: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

निर्माता: Microsemi

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