APTM50DHM65TG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

APTM50DHM65TG
निर्माता / ब्रांड

Microsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

1.APTM50DHM65TG.pdf
2.APTM50DHM65TG.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 2.5mA
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SP4
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

78 mOhm @ 25.5A, 10V
पावर - मैक्स

390W
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

SP4
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7000pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

140nC @ 10V
FET प्रकार

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET फ़ीचर

Standard
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

500V
विस्तृत विवरण

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 51A 390W Chassis Mount SP4
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

51A

निम्नलिखित "APTM50DHM65TG" संबंधित उत्पाद हैं।

APTM50DSK10T3G

विवरण: MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

निर्माता: Microsemi

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अग्रिम पंजीकरण

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