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JAN1N5552

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    JAN1N5552
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.2V @ 9A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    600V
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    2µs
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    B, Axial
  • दुसरे नाम
    1086-2098
    1086-2098-MIL
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 600V 3A Through Hole
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1µA @ 600V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    3A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

विवरण: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5550US

JAN1N5550US

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N5551US

JAN1N5551US

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5554

JAN1N5554

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

विवरण: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N5611

JAN1N5611

विवरण: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5551

JAN1N5551

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5610

JAN1N5610

विवरण: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5552US

JAN1N5552US

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N5555

JAN1N5555

विवरण: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5556

JAN1N5556

विवरण: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5558

JAN1N5558

विवरण: TVS DIODE 175V 265V DO13

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5554US

JAN1N5554US

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

विवरण: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

विवरण: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

विवरण: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5550

JAN1N5550

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

विवरण: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5553US

JAN1N5553US

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N5553

JAN1N5553

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

निर्माता: Microsemi
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