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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    JAN1N6131US
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - रिवर्स गतिरोध (TYP)
    86.6V
  • वोल्टेज - क्लैम्पिंग (अधिकतम) @ आईपीपी
    158.87V
  • वोल्ट - ब्रेकडाउन (मिन)
    99.28V
  • प्रकार
    Zener
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    B, SQ-MELF
  • शृंखला
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • पावर लाइन सुरक्षा
    No
  • बिजली - पीक पल्स
    500W
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    SQ-MELF, B
  • दुसरे नाम
    1086-19525
    1086-19525-MIL
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • वर्तमान - पीक पल्स (10 / 1000μs)
    3.14A
  • समाई @ आवृत्ति
    -
  • द्विदिश चैनल
    1
  • अनुप्रयोगों
    General Purpose
JAN1N6133A

JAN1N6133A

विवरण: TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6130US

JAN1N6130US

विवरण: TVS DIODE 76V 144.48V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6131

JAN1N6131

विवरण: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6131A

JAN1N6131A

विवरण: TVS DIODE 86.6VWM BPKG AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6133US

JAN1N6133US

विवरण: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6131AUS

JAN1N6131AUS

विवरण: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6129A

JAN1N6129A

विवरण: TVS DIODE 69.2V 125.1V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6132A

JAN1N6132A

विवरण: TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6129AUS

JAN1N6129AUS

विवरण: TVS DIODE 69.2V 125.1V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6133

JAN1N6133

विवरण: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6129US

JAN1N6129US

विवरण: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6132

JAN1N6132

विवरण: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6130

JAN1N6130

विवरण: TVS DIODE 76V 144.48V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6133AUS

JAN1N6133AUS

विवरण: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6132US

JAN1N6132US

विवरण: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6132AUS

JAN1N6132AUS

विवरण: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6134

JAN1N6134

विवरण: TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6134A

JAN1N6134A

विवरण: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6130A

JAN1N6130A

विवरण: TVS DIODE 76VWM BPKG AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6130AUS

JAN1N6130AUS

विवरण: TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
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