JANTX1N6626US

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विशेष विवरण

भाग संख्या

JANTX1N6626US

निर्माता / ब्रांड

Microsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है

डाटा शीट

JANTX1N6626US.pdf

वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.35V @ 2A

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

200V

प्रदायक डिवाइस पैकेज

D-5B

गति

Fast Recovery = 200mA (Io)

शृंखला

Military, MIL-PRF-19500/578

रिवर्स वसूली समय (trr)

45ns

पैकेजिंग

Bulk

पैकेज / प्रकरण

SQ-MELF, E

दुसरे नाम

1086-1064
1086-1064-MIL

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-65°C ~ 150°C

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant

डायोड प्रकार

Standard

विस्तृत विवरण

Diode Standard 200V 1.75A Surface Mount D-5B

वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

2µA @ 200V

वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

1.75A

समाई @ वीआर, एफ

-

आधार भाग संख्या

1N6626

निम्नलिखित "JANTX1N6626US" संबंधित उत्पाद हैं।

JANTX1N6623U

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

निर्माता: Microsemi Corporation

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