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UFS580J/TR13

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    UFS580J/TR13
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    Standard
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    5A
  • वोल्टेज - टूटने
    DO-214AB
  • शृंखला
    -
  • RoHS स्थिति
    Tape & Reel (TR)
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • प्रतिरोध @, तो एफ
    -
  • ध्रुवीकरण
    DO-214AB, SMC
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    60ns
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    18 Weeks
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    UFS580J/TR13
  • विस्तारित विवरण
    Diode Standard 800V 5A Surface Mount DO-214AB
  • डायोड विन्यास
    10µA @ 800V
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1.35V @ 5A
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    800V
  • समाई @ वीआर, एफ
    -55°C ~ 175°C
UFS560GE3/TR13

UFS560GE3/TR13

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB

निर्माता: Microsemi
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UFS560J/TR13

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

निर्माता: Microsemi Corporation
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UFS580GE3/TR13

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 5A DO215AB

निर्माता: Microsemi
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UFS560G/TR13

UFS560G/TR13

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB

निर्माता: Microsemi Corporation
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UFS570J/TR13

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विवरण: DIODE GEN PURP 700V 5A DO214AB

निर्माता: Microsemi Corporation
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विवरण: DIODE GEN PURP 700V 5A DO214AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

निर्माता: Microsemi
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UFS570GE3/TR13

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विवरण: DIODE GEN PURP 700V 5A DO215AB

निर्माता: Microsemi
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निर्माता: Microsemi Corporation
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UFS550J/TR13

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विवरण: DIODE GEN PURP 500V 5A DO214AB

निर्माता: Microsemi Corporation
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UFS550JE3/TR13

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विवरण: DIODE GEN PURP 500V 5A DO214AB

निर्माता: Microsemi
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UFS530JE3/TR13

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विवरण: DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB

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निर्माता: Microsemi Corporation
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निर्माता: Microsemi Corporation
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