PBRN113ES,126

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जांच ऑनलाइन

विशेष विवरण

भाग संख्या

PBRN113ES,126
निर्माता / ब्रांड

Freescale / NXP Semiconductors
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

PBRN113ES,126.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

40V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

1.15V @ 8mA, 800mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN - Pre-Biased
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-92-3
शृंखला

-
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

1 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

1 kOhms
पावर - मैक्स

700mW
पैकेजिंग

Tape & Box (TB)
पैकेज / प्रकरण

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
दुसरे नाम

934058999126
PBRN113ES AMO
PBRN113ES AMO-ND
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

180 @ 300mA, 5V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

800mA
आधार भाग संख्या

PBRN113

निम्नलिखित "PBRN113ES,126" संबंधित उत्पाद हैं।

PBRC7.37HR50X000

विवरण: CER RES 7.3700MHZ 30PF SMD

निर्माता: AVX Corporation

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अग्रिम पंजीकरण

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