PDTD113ES,126

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PDTD113ES,126
निर्माता / ब्रांड

Freescale / NXP Semiconductors
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

PDTD113ES,126.pdf
ईसीएडी मॉडल
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

300mV @ 2.5mA, 50mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN - Pre-Biased
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-92-3
शृंखला

-
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

1 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

1 kOhms
पावर - मैक्स

500mW
पैकेजिंग

Tape & Box (TB)
पैकेज / प्रकरण

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
दुसरे नाम

934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

33 @ 50mA, 5V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

500mA
आधार भाग संख्या

PDTD113

निम्नलिखित "PDTD113ES,126" संबंधित उत्पाद हैं।

PDTD113ZT,215

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

निर्माता: Nexperia

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अग्रिम पंजीकरण

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