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PH9025L,115

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    PH9025L,115
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.15V @ 1mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    LFPAK56, Power-SO8
  • शृंखला
    TrenchMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    9 mOhm @ 10A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    62.5W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
  • दुसरे नाम
    934061158115
    PH9025L T/R
    PH9025L T/R-ND
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1414pF @ 30V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    12.8nC @ 4.5V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    25V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 25V 66A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    66A (Tc)
PH9085.021NLT

PH9085.021NLT

विवरण: IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.5UH SMT

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9184.021NLT

PH9184.021NLT

विवरण: XFMR GATE-DR 1CT:2CT SM NPB

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9084.011NLT

PH9084.011NLT

विवरण: XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9085.043NLT

PH9085.043NLT

विवरण: IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.16MH SMT

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9184.011NLT

PH9184.011NLT

विवरण: XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9085.035NLT

PH9085.035NLT

विवरण: IND PWR 3.0X3.0X1.2 .33UH SMT

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9184.034NLT

PH9184.034NLT

विवरण: XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9085.012NLT

PH9085.012NLT

विवरण: IND PWR 3.0X3.0X1.2 10UH SMT

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9085.089NLT

PH9085.089NLT

विवरण: XFMR GATE-DR 8CT:9CT SM NPB

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH90

PH90

विवरण: SPECIALTY ACIDITY PH

निर्माता: FLIR
स्टॉक में
PH9030L,115

PH9030L,115

विवरण: MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale
स्टॉक में
PH9085.011NLT

PH9085.011NLT

विवरण: IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.0UH SMT

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9030AL,115

PH9030AL,115

विवरण: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale
स्टॉक में
PH9085.038NLT

PH9085.038NLT

विवरण: IND PWR 3.0X3.0X1.2 3.3UH SMT

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9085NLKIT

PH9085NLKIT

विवरण: ISOLATION TRANSFORMER KIT

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9084.034NLT

PH9084.034NLT

विवरण: XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9085.083NLT

PH9085.083NLT

विवरण: IND PWR 3.0X3.0X1.2 4.7UH SMT

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9085.034NLT

PH9085.034NLT

विवरण: IND PWR 3.0X3.0X1.2 2.2UH SMT

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9084.021NLT

PH9084.021NLT

विवरण: XFMR GATE-DR 2CT:1CT SM NPB

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
स्टॉक में
PH9084.043NLT

PH9084.043NLT

विवरण: XFMR GATE-DR 4CT:3CT SM NPB

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
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