PMPB12UN,115

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PMPB12UN,115
निर्माता / ब्रांड

Freescale / NXP Semiconductors
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±8V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-DFN2020MD (2x2)
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

6-UDFN Exposed Pad
दुसरे नाम

568-10451-2
934066861115
PMPB12UN,115-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

886pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

13nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

1.8V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

N-Channel 20V 7.9A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7.9A (Ta)

निम्नलिखित "PMPB12UN,115" संबंधित उत्पाद हैं।

PMPB10XNE,115

विवरण: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

निर्माता: Nexperia

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अग्रिम पंजीकरण

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